硅基光电子材料与器件课题组隶属厦门大学物理系、厦门大学半导体光子学研究中心，是一个集硅基半导体材料生长、半导体光电子器件基础理论与工艺研究于一体的研究团队。课题组成员有王启明院士（双聘）、余金中研究员（双聘）、陈松岩教授、李成教授、赖虹凯副教授，黄巍助理教授、李俊助理教授、汪建元、徐剑芳两位工程师以及20名硕、博士研究生。课题组与UCLA、新加坡南洋理工大学、日本筑波大学、韩国外国语大学、中科院半导体研究所、北京大学、浙江大学、复旦大学、南京大学等国内外同行都保持密切合作关系。

    实验室拥有先进的薄膜外延材料生长设备和先进的测试分析系统。近年来，课题组依靠厦门大学半导体光子学研究中心微纳加工技术平台，厦门大学化学化工学院仪器分析中心，借助厦门大学物理系的凝聚态物理理论研究优势，致力于新型硅基光电子材料的外延生长和器件的研究。

    本课题组目前主要开展的研究工作：
（1）高质硅基 SiGe 赝衬底、纯 Ge 材料、Si/SiGe应变补偿多周期量子阱超晶格的制备和性质研究；
（2）SOI 基高速、窄谱带响应长波长Ge 光电探测器研究；
（3）硅基材料的高效率发光新结构、新材料研究；
（4）Ge/SiGe 基纳米结构的制备与性质研究；
（5）硅基中远红外（太赫兹）光电器件基础研究；
（6）硅基III-V族光伏器件的制备与性质研究；
（7）Ge 场效应晶体管工艺与器件研究。

    硅基光电子材料与器件课题组欢迎与国内外同行合作交流，并且每年招收微电子学与固体电子学、凝聚态物理、光伏工程、电子与通信工程专业硕、博士研究生5-6名，欢迎有相关专业背景的青年学子报考，也欢迎本科生进入课题组从事科研项目的研究！